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技術(shù)編號：7091489

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本發(fā)明涉及非揮發(fā)性阻變式存儲器及其制備方法。背景技術(shù)隨著科技的進步與存儲市場的發(fā)展，研發(fā)高速擦寫、低功耗、非揮發(fā)性以及多次寫入性能的固態(tài)通用性存儲器已經(jīng)成為半導體行業(yè)最值得關(guān)注的前沿技術(shù)熱點。由金屬(Metal)-氧化物(Insulator)-金屬(Metal)構(gòu)成的阻變式存儲器(Resistive RandomAccess Memory)由于其結(jié)構(gòu)簡單、存儲速度快、低功耗、存儲密度大等優(yōu)點，也成為了固態(tài)通用性存儲器領(lǐng)域的發(fā)展對象之一。RRAM存儲材料的選...
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