技術(shù)編號:7074881
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明實施例涉及。背景技術(shù)作為電阻變化型存儲器之一有磁隨機存取存儲器(MRAM (Magneti c RandomAccess Memory))。MRAM的寫入方式有磁場寫入方式及自旋注入寫入方式。其中,自旋注入寫入方式具有隨著磁性體的尺寸越小而磁化反相所必要的自旋注入電流越小的性質(zhì),因此有利于高集成化、低消耗功率化及高性能化。自旋注入寫入方式的MTJ (Magnetic Tunnel Junction 磁隧道結(jié))元件具有2個強磁性層和被這些夾持的非磁性阻...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。