技術(shù)編號(hào)：7066812
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型公開了一種finFET結(jié)構(gòu)，所述finFET結(jié)構(gòu)包括為多個(gè)finFET形成的多個(gè)鰭部，所述多個(gè)鰭部的第一部分由與所述第一部分相鄰的支撐結(jié)構(gòu)支撐，所述第一部分在所述多個(gè)鰭部與襯底之間的空隙之上。專利說明f i nFET結(jié)構(gòu) [0001]本公開涉及用于在體半導(dǎo)體晶片上制作絕緣鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)。 背景技術(shù) [0002]晶體管是現(xiàn)代數(shù)字處理器和存儲(chǔ)器器件的基本器件元件。目前有可以用于不同應(yīng)用的多種晶體管設(shè)計(jì)或者類型。各種晶體管類型包括例如...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。