技術(shù)編號：7060142
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明提供了一種溝槽MOS單元及其制備方法。其中，一種溝槽MOS單元，其包括離子參雜區(qū)。采用上述方案，本發(fā)明通過在溝槽刻蝕之后生長犧牲氧化層之前通過補充注入與外延同型離子，包括N+外延補注砷或者磷/P-外延補注硼或者硼氟化合物，以增加外延層的離子濃度，降低外延層的電阻，即降低漏極-源極之間的電阻達到降低導(dǎo)通電阻的效果。專利說明一種溝槽MOS單元及其制備方法 [0001]本發(fā)明涉及溝槽工藝領(lǐng)域，尤其涉及的是，一種溝槽MOS單元及其制備方法。 背景技術(shù)...
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