技術(shù)編號(hào)：7059405
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造，尤其涉及一種晶圓跨硅穿孔互連工藝。首先將一第一晶圓與第二晶圓鍵合在一起；然后通過一次刻蝕工藝將減薄過的第一硅襯底層打開，接著通過第二次刻蝕工藝將第一金屬層上方的薄膜打開同時(shí)以第一金屬層為阻擋層，打開第二金屬層上方的薄膜，形成一使第一金屬層與第二金屬層均暴露的凹槽；最后于開口和凹槽填充一金屬，并在金屬上表面及第一硅襯底層上表面覆蓋一保護(hù)層，完成晶圓三維集成。通過本方案，克服了傳統(tǒng)晶圓三維集成中需要三次刻蝕工藝才能將同一區(qū)域不同晶圓上的電...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。