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技術(shù)編號：7057197

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本發(fā)明公開了一種新型柵極接地NMOS結(jié)構(gòu)ESD保護(hù)器件及其制作方法，保護(hù)器件包括P型襯底，P型襯底內(nèi)有P阱區(qū)，P阱內(nèi)注有第一P+區(qū)、第一N+區(qū)、第二N+區(qū)、第三N+區(qū)、第二P+區(qū)，在P阱內(nèi)第二N+區(qū)的下方設(shè)有P型淺阱；第一N+區(qū)與第二N+區(qū)之間的P阱上方還有第二N+區(qū)與第三N+的P阱上方均有覆蓋柵氧化層，柵氧化層上方均有多晶硅；P阱上還覆蓋有若干氧化隔離層。本結(jié)構(gòu)在普通多指柵極接地NMOS的基礎(chǔ)上多了一層P型淺阱區(qū)，可以降低NMOS的開啟電壓，提高NMOS...
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