技術編號：7052531
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明實施例提供陣列基板及其制作方法、顯示裝置，涉及顯示，減少低溫多晶硅AMOLED陣列基板制作過程中的掩膜曝光工藝的次數(shù)。在制備上述陣列基板的過程中，可以通過一次構圖工藝在襯底基板上形成包括柵極、柵極絕緣層、多晶硅有源層；再通過一次構圖工藝形成位于鈍化層表面的第一過孔和第二過孔的圖案；又通過一次構圖工藝形成源極、漏極以及像素電極；其中，源極、漏極分別通過第一過孔和第二過孔與多晶硅有源層電連接。最后，通過一次構圖工藝形成像素界定層。專利說明陣列基板及其制作...
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