技術(shù)編號：7052319
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本公開提供了一種半導體器件。半導體器件包括在襯底的頂表面上方間隔開的柵極結(jié)構(gòu)。柵極結(jié)構(gòu)包括在與襯底的頂表面平行的第一方向上延伸的水平電極。隔離絕緣層填充柵極結(jié)構(gòu)之間的間隔。多個單元柱貫穿水平電極并連接到襯底。多個單元柱包括最小間隔，該最小間隔由多個單元柱中的任兩個之間的最短距離限定。水平電極的厚度大于單元柱的最小間隔。專利說明半導體器件 [0001] 本發(fā)明涉及半導體器件，更具體地，涉及垂直半導體器件。 背景技術(shù) [0002] 為了提供越來越提高...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。