技術(shù)編號：7052052
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。提供一種半導(dǎo)體集成電路器件，其在光電二極管陣列區(qū)域中具有像素區(qū)域，并且在每個像素區(qū)域中具有波導(dǎo)保持孔，波導(dǎo)保持孔具有在光電二極管之上的基本垂直的側(cè)壁并且嵌入有到達孔底表面的基于氧化硅的側(cè)壁絕緣膜和在孔的內(nèi)側(cè)上具有更高折射率的兩個或更多基于氮化硅的絕緣膜。該結(jié)構(gòu)使得可以防止尺寸迅速減小的成像器件諸如CMOS傳感器的像素特性的惡化。專利說明半導(dǎo)體集成電路器件[0001]相關(guān)申請的交叉引用[0002]于2013年6月26日提交的日本專利申請N0.2013-133...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。