技術(shù)編號：7047881
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。提供一種。集成電路包括半導(dǎo)體襯底及多個(gè)淺溝槽隔離(STI)區(qū)，各區(qū)在半導(dǎo)體襯底的上表面之下延展至少第一深度。STI區(qū)電性隔離制造于半導(dǎo)體襯底中的裝置。集成電路還包括晶體管，其包括置于半導(dǎo)體襯底中的源極與漏極區(qū)、置于源極與漏極區(qū)之間的柵極介電層以及置于半導(dǎo)體襯底的第二部位并且在半導(dǎo)體上表面下延展第二深的局部氧化物層。第一深度大于第二深度。集成電路又再包括于柵極介電層與局部氧化物層上方延展的第一柵極電極。專利說明 [0001] 大致關(guān)于集成電路及用于制...
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