技術編號：7046094
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。一種半導體設備制造方法，其包括通過執(zhí)行預定次數的循環(huán)來在基材上形成含硅、氧、碳和指定的第III族或第V族元素的薄膜。所述循環(huán)包括向基材供給含硅、碳和鹵族元素并具有Si-C鍵的前體氣體及第一催化氣體；向基材供給氧化氣體和第二催化氣體；和向基材供給含指定的第III族或第V族元素的改性氣體。專利說明半導體設備制造方法和基材處理裝置[0001]相關申請的交叉引用[0002]本申請基于并要求2013年5月24日提交的日本專利申請?zhí)?013-110242的優(yōu)先權，所述...
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