技術(shù)編號(hào)：7044144
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了雙溝渠式MOS晶體管元件及其制造方法，該雙溝渠式MOS晶體管元件的結(jié)構(gòu)包含由多個(gè)主溝渠相間以平臺(tái)，形成于重?fù)诫s的n+半導(dǎo)體基板上的n-外延層內(nèi)，多個(gè)主溝渠內(nèi)具有主溝渠氧化層先形成于底部及側(cè)壁；再被填入第一多晶硅層。多個(gè)凹陷區(qū)，各相間一距離接著形成于平臺(tái)中，凹陷區(qū)具有副溝渠柵極氧化層、第二多晶硅層作為MOS柵極；MOS柵極兩側(cè)的平臺(tái)則是離子布植區(qū)。布植區(qū)和第一多晶硅層作為源極，基板的背面則是漏極。第二實(shí)施例中，數(shù)列與主溝渠走向垂直的MOS結(jié)構(gòu)通過...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。