技術編號：7041257
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明公開了一種吸除硅晶片或硅器件中過渡金屬雜質的方法，在室溫下對硅晶片或硅器件進行劑量小于5000Gy低劑量電子輻照，使硅晶片待清潔區(qū)或硅器件有源區(qū)中的過渡金屬雜質向附近的吸雜缺陷區(qū)擴散，從而降低硅晶片待清潔區(qū)或硅器件有源區(qū)內(nèi)的過渡金屬雜質濃度。相比于現(xiàn)有的硅材料吸雜方法，該方法在室溫下進行，因而不僅可用于硅晶片還可用于硅器件吸雜，且該方法不限于單晶或多晶硅片及硅器件，也適用于其它半導體材料（如鍺）和相應器件。專利說明[0001]本發(fā)明涉及室溫下去除硅晶...
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