技術(shù)編號：7041191
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明公開了一種具有閾開關(guān)效應(yīng)的多鐵陶瓷半導體及其制備方法。該陶瓷半導體器件是由導電下電極層、多鐵陶瓷半導體和上電極薄膜層組成；其中所述的上下電極為Pt、Au或Al導電薄膜；所述的陶瓷半導體是Mg元素摻雜的BiFeO3陶瓷或缺氧的BiFeO3陶瓷。多鐵陶瓷半導體采用改進的快速燒結(jié)技術(shù)合成，以高純度Bi2O3、Fe2O3和摻雜氧化物為原料，充分混合后在特定的壓強下壓片成型；經(jīng)過高溫預(yù)燒結(jié)和快速燒結(jié)后，沉積上下電極薄膜層。本發(fā)明的多鐵半導體器件具有優(yōu)異的閾開關(guān)...
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