技術(shù)編號(hào)：7039102
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明中提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其包括于具備具有凹部的層間絕緣層、以及其至少一部分在凹部的底面的至少一部分上露出的包含銅的配線的半導(dǎo)體基板上賦予半導(dǎo)體用密封組合物，至少在凹部的底面及側(cè)面形成密封層的工序，上述半導(dǎo)體用密封組合物含有具有陽(yáng)離子性官能基且重均分子量為2000～1000000的聚合物，Na及K的含量以元素基準(zhǔn)計(jì)為10質(zhì)量ppb以下；以及于溫度200℃以上425℃以下的條件下對(duì)半導(dǎo)體基板的形成有密封層之側(cè)的面進(jìn)行熱處理，將形成于配線的露出面上...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。