技術(shù)編號:7037399
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。一種MOSFET(1),設(shè)置有襯底(10);柵極絕緣膜(20);柵電極(30);形成在柵極絕緣膜(20)上以圍繞柵電極(30)的層間絕緣膜(40);包含Ti和N且不包含Al的緩沖膜(51);以及包含Ti、Al和Si的源電極(52)。MOSFET(1)具有其中形成的接觸孔(80),所述接觸孔貫穿層間絕緣膜(40),暴露襯底(10)的主表面(10A),并且與柵電極(30)隔開。緩沖膜(51)形成為與接觸孔(80)的側(cè)壁表面(80A)接觸。在襯底(10)的主表面...
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