技術(shù)編號(hào)：7026802
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型公開(kāi)了一種多晶硅發(fā)射極BiCMOS工藝中減小發(fā)射極電阻的NPN管結(jié)構(gòu)，在已經(jīng)成形的縱向NPN管發(fā)射極的復(fù)合柵結(jié)構(gòu)多晶硅表面，注入N+擴(kuò)散區(qū)的摻雜雜質(zhì)，注入?yún)^(qū)的尺寸大于等于BiCMOS工藝的光刻特征尺寸。本實(shí)用新型在不增加制造成本和犧牲器件性能的前提下，大大減小多晶硅發(fā)射極縱向NPN三極管的發(fā)射極電阻，且能夠讓發(fā)射極電阻隨著發(fā)射區(qū)面積的增加而呈線性降低。本實(shí)用新型可以有效的起到簡(jiǎn)化模擬電路設(shè)計(jì)，提高電路性能，提高產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力的作用。專(zhuān)利說(shuō)明—種多晶硅...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。