技術(shù)編號(hào)：7021698
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。硅光電二極管，低摻雜的長方體N型硅晶片上設(shè)有高摻雜的P型硅層，形成P+N結(jié)，硅晶片上表面設(shè)有二氧化硅膜，所述高摻雜的P型硅層為圓角長方體，所述低摻雜的長方體N型硅晶片的外周設(shè)有高摻雜的N型硅環(huán)，高摻雜的N型硅環(huán)和高摻雜的P型硅層之間隔著N型硅層，P型硅層上表面二氧化硅膜上開有方形接觸孔，接觸孔內(nèi)貼附有金屬AL作為陽極，N型硅晶片的背面積淀金屬Au膜作為陰極。本實(shí)用新型的反向擊穿電壓高于30V，暗電流小于10nA。專利說明硅光電二極管[0001 ] 本實(shí)用新...
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