硅光電二極管的制作方法
【專利摘要】硅光電二極管，低摻雜的長方體N型硅晶片上設有高摻雜的P型硅層，形成P+N結，硅晶片上表面設有二氧化硅膜，所述高摻雜的P型硅層為圓角長方體，所述低摻雜的長方體N型硅晶片的外周設有高摻雜的N型硅環(huán)，高摻雜的N型硅環(huán)和高摻雜的P型硅層之間隔著N型硅層，P型硅層上表面二氧化硅膜上開有方形接觸孔，接觸孔內(nèi)貼附有金屬AL作為陽極，N型硅晶片的背面積淀金屬Au膜作為陰極。本實用新型的反向擊穿電壓高于30V，暗電流小于10nA。
【專利說明】硅光電二極管
【技術領域】
[0001 ] 本實用新型涉及一種硅光電二極管。
【背景技術】
[0002]光電二極管是一種將光能轉換為電能的半導體器件，光電二極管在反向電壓作用下工作，在光照時產(chǎn)生光電流。當無光照時，和普通二極管一樣，其反向電流很小，稱為暗電流。影響反向擊穿電壓的因素有雜質濃度、半導體薄層厚度，反向擊穿電壓還與PN結的形狀，表面狀況及材料結構等諸多因素有關。
[0003]PN結的摻雜濃度越高，反向飽和電流Ici就越大，反向擊穿電壓越低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本實用新型的目的在于，提供一種反向擊穿電壓高于30V，暗電流小于IOnA的硅光電二極管。
[0005]實現(xiàn)本實用新型的技術方案是:硅光電二極管，低摻雜的長方體N型(N_)硅晶片上設有高摻雜的P型(P+)硅層，形成P+N結，硅晶片上表面設有二氧化硅膜，所述高摻雜的P型(P+)硅層為圓角長方體，所述低摻雜的長方體N型(NO硅晶片的外周設有高摻雜的N型(N+)硅環(huán)，高摻雜的N型(N+)硅環(huán)和高摻雜的P型(P+)硅層之間隔著N型(N_)硅層，P型(P+)硅層上表面二氧化硅膜上開有方形接觸孔，接觸孔內(nèi)貼附有金屬AL作為陽極，N型(NO硅晶片的背面積淀金屬Au膜作為陰極。
[0006]作為本實用新型的進一步改進，所述低摻雜的長方體N型(N_)硅晶片長為5.8mm,寬為 1.0mm,厚度為 275-285 μ m,電阻率為 1200-4000 Ω.cm。
[0007]作為本實用新型的進一步改進，所述高摻雜的P型(P+)硅層厚度為200±5μπι。
[0008]作為本實用新型的進一步改進，所述金屬AL的厚度為2 um,所述金屬Au膜的厚度為0.1 μιη，優(yōu)化硅光電二極管芯片的接觸性能。
[0009]作為本實用新型的進一步改進，所述N型(N+)硅環(huán)和P型(P+)硅層之間的N型(Ν_)硅層四角為圓角，減小暗電流。
[0010]本實用新型采用低摻雜高電阻率的長方體N型(『)硅晶片作為基片，提高反向擊穿電壓。采用高摻雜的N型(N+)保護環(huán)，減小暗電流。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]圖1是本實用新型實施例1硅光電二極管正面結構示意圖；
[0012]圖2是本實用新型實施例1硅光電二極管側面剖視圖。
【具體實施方式】
[0013]下面結合實施例和附圖做進一步說明。
[0014]實施例1[0015]如圖1和圖2所示，用于光電探測的硅光電二極管10，在電阻率為1200-4000 Ω.cm,厚度為275-285 μ m,長寬為5.8mmX 1.0mm的低摻雜N型長方形晶片I上，設有厚度為200 ± 5 μ m的圓角長方體的高摻雜的P型(P+)硅層2，低摻雜N型長方形晶片I的周邊還設有厚度為200±5μπι的高摻雜的N型(N+)硅環(huán)3，高摻雜的N型(N+)硅環(huán)和高摻雜P型(P+)硅層之間隔著N型(Ν_)硅層4。
[0016]娃晶片上表面設有二氧化娃膜5。P型(P+)娃層上表面靠近娃晶片短邊一側的二氧化硅膜上的開有方形接觸孔6，接觸孔內(nèi)貼附有金屬AL作為陽極7，N型(Ν_)硅晶片的背面積淀金屬Au膜作為陰極8。
【權利要求】
1.娃光電二極管，低摻雜的長方體N型娃晶片上設有高摻雜的P型娃層,形成P+N結，硅晶片上表面設有二氧化硅膜，所述高摻雜的P型硅層為圓角長方體，其特征是，所述低摻雜的長方體N型娃晶片的外周設有聞慘雜的N型娃環(huán)，聞慘雜的N型娃環(huán)和聞慘雜的P型硅層之間隔著N型硅層，P型硅層上表面二氧化硅膜上開有方形接觸孔，接觸孔內(nèi)貼附有金屬AL作為陽極，N型硅晶片的背面積淀金屬Au膜作為陰極。
2.根據(jù)權利要求1所述的硅光電二極管，其特征是，所述低摻雜的長方體N型硅晶片長為 5.8mm,寬為 1.0mm,厚度為 275-285 μ m,電阻率為 1200-4000 Ω.cm。
3.根據(jù)權利要求1所述的硅光電二極管，其特征是，所述高摻雜的P型硅層厚度為200 ± 5 μ m。
4.根據(jù)權利要求1所述的硅光電二極管，其特征是，所述金屬AL的厚度為2um,所述金屬Au膜的厚度為0.1 _。
【文檔編號】H01L31/0352GK203406310SQ201320511499
【公開日】2014年1月22日 申請日期:2013年8月20日 優(yōu)先權日:2013年8月20日
【發(fā)明者】崔峰敏 申請人:傲迪特半導體(南京)有限公司