技術(shù)編號：7018122
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及抗輻照加固微電子學(xué)和固體電子學(xué)中CMOS電路瞬態(tài)輻照， 尤其涉及一種CMOS電路單粒子瞬態(tài)的建模方法。背景技術(shù)電離輻射在半導(dǎo)體器件中產(chǎn)生電荷有兩種方法一是采用直接電離輻照，入射粒 子直接電離產(chǎn)生電荷；二是采用間接電離輻照，入射粒子和器件發(fā)生核反應(yīng)產(chǎn)生二次粒子 電離產(chǎn)生電荷。這兩種機制都會導(dǎo)致集成電路失效。直接電離輻照當高能帶電粒子穿過半導(dǎo)體材料時，損失能量，沿著入射路徑離化 產(chǎn)生電子空穴對。入射粒子損失所有的能量后，在半導(dǎo)體材料中經(jīng)過的路徑稱為射...
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