技術(shù)編號：7015704
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明提供一種等離子蝕刻裝置用硅部件及等離子蝕刻裝置用硅部件的制造方法，所述硅部件即使配置在等離子蝕刻裝置的反應室內(nèi)部，也不會因等離子蝕刻而提前損耗，且能夠抑制粒子的產(chǎn)生。本發(fā)明的等離子蝕刻裝置用硅部件，其在等離子蝕刻裝置的反應室內(nèi)部使用，所述硅部件的特征在于，由多晶硅、準單晶硅或單晶硅中的任一種構(gòu)成，含有1×1018atoms/cc以上1×1020atoms/cc以下的范圍內(nèi)的硼作為摻雜劑。專利說明[0001]本發(fā)明涉及一種在等離子蝕刻裝置的反應室內(nèi)部使...
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