等離子蝕刻裝置用硅部件及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種等離子蝕刻裝置用硅部件及等離子蝕刻裝置用硅部件的制造方法，所述硅部件即使配置在等離子蝕刻裝置的反應(yīng)室內(nèi)部，也不會因等離子蝕刻而提前損耗，且能夠抑制粒子的產(chǎn)生。本發(fā)明的等離子蝕刻裝置用硅部件，其在等離子蝕刻裝置的反應(yīng)室內(nèi)部使用，所述硅部件的特征在于，由多晶硅、準(zhǔn)單晶硅或單晶硅中的任一種構(gòu)成，含有1×1018atoms/cc以上1×1020atoms/cc以下的范圍內(nèi)的硼作為摻雜劑。
【專利說明】等離子蝕刻裝置用硅部件及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種在等離子蝕刻裝置的反應(yīng)室內(nèi)部使用的等離子蝕刻裝置用硅部件及等離子蝕刻裝置用硅部件的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]以往，在半導(dǎo)體器件的制造工藝中，作為對晶圓的表面進(jìn)行蝕刻處理的裝置，廣泛使用有例如專利文獻(xiàn)1、2中示出的等離子蝕刻裝置。
[0003]其中，將等離子蝕刻裝置的一例示于圖5。該等離子蝕刻裝置50具備被設(shè)為真空氣氛的反應(yīng)室51、配置在反應(yīng)室51的內(nèi)部的電極板52、相對于該電極板52隔開間隔而被對置配置的支架53、及在電極板52與支架53之間施加高頻電壓的高頻電源54。
[0004]對由上述等離子蝕刻裝置50進(jìn)行的等離子蝕刻處理方法進(jìn)行說明。在支架53上載置晶圓1，且使蝕刻氣體5經(jīng)由形成于電極板52的貫穿細(xì)孔52a向晶圓I流動的同時通過高頻電源54在電極板52與支架53之間施加高頻電壓。由此，在電極板52與支架53之間的空間內(nèi)產(chǎn)生電漿7，且通過由電漿7引起的物理反應(yīng)及由蝕刻氣體5引起的化學(xué)反應(yīng)來對晶圓I的表面進(jìn)行蝕刻。
[0005]作為上述電極板，例如如專利文獻(xiàn)3、4所示，使用由單晶硅或多晶硅構(gòu)成的硅電極板。其中，在上述等離子蝕刻裝置中，存在因電漿和蝕刻氣體而損耗電極板的表面，且產(chǎn)生粒子而污染晶圓的可能性。因此，以往為了抑制粒子的產(chǎn)生，通過蝕刻處理和熱處理來消除硅電極表面的龜裂和缺陷。并且，專利文獻(xiàn)4中記載有通過使用結(jié)晶面被設(shè)為(001)面的單晶硅來抑制龜裂等的產(chǎn)生的技術(shù)。
[0006]專利文獻(xiàn)1:日本專利公開平03-190126號公報
[0007]專利文獻(xiàn)2:日本專利公開平06-084851號公報
[0008]專利文獻(xiàn)3:日本專利公開平09-129605號公報
[0009]專利文獻(xiàn)4:日本專利公開平10-017393號公報
[0010]但是，上述等離子蝕刻裝置中，在反應(yīng)室內(nèi)部除電極板以外還配置有很多部件，這些部件也通過電漿及蝕刻氣體被蝕刻，從而成為產(chǎn)生粒子的一個原因。并且，存在這些部件的壽命縮短之類的問題。
[0011]并且，為減少硅電極和上述部件中表面的龜裂、缺陷和粒子，考慮到使用無晶界的單晶硅。然而，由于單晶硅一般使用石英坩堝來制造，因此存在氧濃度趨于偏高，等離子蝕刻速度較快而導(dǎo)致提前損耗之類的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0012]本發(fā)明是鑒于上述情況而完成的，其目的在于提供一種等離子蝕刻裝置用硅部件及等離子蝕刻裝置用硅部件的制造方法，所述硅部件即使配置在等離子蝕刻裝置的反應(yīng)室內(nèi)部，也不會因等離子蝕刻而提前損耗，且能夠抑制粒子的產(chǎn)生。
[0013]為解決以上課題以達(dá)到所述目的，本發(fā)明所涉及的等離子蝕刻裝置用硅部件為在等離子蝕刻裝置的反應(yīng)室內(nèi)部使用的等離子蝕刻裝置用硅部件，其特征在于由多晶硅、準(zhǔn)單晶娃或單晶娃中的任一種構(gòu)成，且含有I X 1018atoms/cc (atoms/cm3, atoms/ml)以上IX 102Clatoms/cc以下的范圍內(nèi)的硼作為摻雜劑。
[0014]在該結(jié)構(gòu)的等離子蝕刻裝置用硅部件中，當(dāng)由多晶硅或準(zhǔn)單晶硅構(gòu)成的情況下，制造硅時能夠通過以氮化硅等對石英坩堝進(jìn)行涂布來將氧濃度抑制得較低。并且，當(dāng)由單晶硅構(gòu)成的情況下，對石英坩堝的內(nèi)表面進(jìn)行Ba涂布來將氧濃度抑制得較低。并且，含有I X 1018atoms/cc以上I X 1020atoms/cc以下的范圍內(nèi)的硼作為摻雜劑，因此蝕刻速度變得緩慢，即使配置在等離子蝕刻裝置的反應(yīng)室內(nèi)部，也能夠抑制由等離子蝕刻引起的提前損耗。并且，能夠抑制粒子的產(chǎn)生，并能夠良好地進(jìn)行晶圓的蝕刻。
[0015]作為摻雜劑的硼的含量小于IX 1018atoms/CC時，存在變得無法充分減小蝕刻速度的可能性。另一方面，硼的含量超過lX102°atomS/CC時，存在無法固溶的硼析出而蝕刻不均勻地產(chǎn)生的可能性。因此，本發(fā)明中，將作為摻雜劑的硼的含量設(shè)定在lX1018atoms/cc以上lX102°atomS/CC以下的范圍內(nèi)。另外，在上述范圍中，硼的含量尤其優(yōu)選在I X 1019atoms/cc 以上 I X 102Clatoms/cc 以下的范圍內(nèi)。
[0016]其中，本發(fā)明的等離子蝕刻裝置用硅部件中，優(yōu)選氧濃度為5X1017atoms/cc以下。
[0017]通過將氧濃度減小至5 X 1017atoms/cc以下，能夠可靠地抑制蝕刻速度，并能夠抑制由等尚子蝕刻引起的提如損耗。
[0018]并且，在本發(fā)明的等離子蝕刻裝置用硅部件中，氮濃度優(yōu)選在7X1014atoms/cc以上4X 1015atoms/cc以下的范圍內(nèi)。
[0019]通過將氮濃度設(shè)為7X 1014atoms/cc以上4X 1015atoms/cc以下的范圍內(nèi)，更優(yōu)選設(shè)為I X 1015atoms/cc以上3 X 1015atoms/cc以下的范圍，能夠減小蝕刻速度,并能夠抑制由等離子蝕刻引起的提前損耗。
[0020]其中，氮濃度小于7X1014atoms/CC時，存在無法充分減小蝕刻速度的可能性。另一方面，氮濃度超過4X 1015atoms/cc時,存在氮作為氮化娃析出，并成為產(chǎn)生粒子的原因，或蝕刻不均勻地產(chǎn)生的可能性。因此，本發(fā)明中，將氮濃度設(shè)定在7X1014atomS/CC以上4X 1015atoms/cc以下的范圍內(nèi)。
[0021]另外，在本發(fā)明的等離子蝕刻裝置用硅部件中，以電子背散射衍射(EBSD，Electron Back Scattering Diffraction)法測定表面的結(jié)晶取向，并求出以(001 )、(101 )、( 111)為頂點(diǎn)的立體三角形內(nèi)的取向分布，通過連接各邊的二等分點(diǎn)與所述立體三角形的重心的線來將該立體三角形分割為三個區(qū)域、即(001)側(cè)區(qū)域、(101)側(cè)區(qū)域、(111)側(cè)區(qū)域，通過用全部測定點(diǎn)數(shù)除位于各區(qū)域內(nèi)的測定點(diǎn)數(shù)來求出在這些各區(qū)域內(nèi)所占的結(jié)晶取向分布的比例，且優(yōu)選分布在(111)側(cè)區(qū)域內(nèi)的比例被設(shè)為70%以上。
[0022]此時，等離子蝕刻裝置用硅部件由較強(qiáng)地取向于[111]取向的多晶硅構(gòu)成，能夠進(jìn)一步降低蝕刻速度。另外，由于等離子蝕刻裝置用硅部件為多晶硅，因此即使取向于[111]取向也不易產(chǎn)生龜裂且容易操作。
[0023]本發(fā)明所涉及的等離子蝕刻裝置用硅部件的制造方法為制造上述等離子蝕刻裝置用硅部件的等離子蝕刻裝置用硅部件的制造方法，其特征在于，所述方法具有:硅熔融液形成工序，形成硼的含量被設(shè)為lX1018atoms/cc以上I X 102°atoms/cc以下的范圍的硅熔融液；及單向凝固工序，使所述硅熔融液單向凝固，所述單向凝固工序中的凝固速度被設(shè)為5mm/h以上10mm/h以下的范圍。
[0024]根據(jù)該結(jié)構(gòu)的等離子蝕刻裝置用硅部件的制造方法，能夠制造上述本發(fā)明的等離子蝕刻裝置用硅部件。
[0025]如此，根據(jù)本發(fā)明提供一種即使配置在等離子蝕刻裝置的反應(yīng)室內(nèi)部，也不會因等離子蝕刻而提前損耗，且能夠抑制粒子的產(chǎn)生的等離子蝕刻裝置用硅部件及等離子蝕刻裝置用硅部件的制造方法。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0026]圖1是多晶硅錠、準(zhǔn)單晶硅錠的制造裝置的概略說明圖。
[0027]圖2是將用EBSD法測定本發(fā)明例I的結(jié)晶取向的結(jié)果表示為立體三角形的圖。
[0028]圖3是將用EBSD法測定比較例I的結(jié)晶取向的結(jié)果表示為立體三角形的圖。
[0029]圖4是表示根據(jù)結(jié)晶取向而蝕刻速度不同的曲線圖。
[0030]圖5是表示等離子蝕刻裝置的概略說明圖。
[0031]符號說明
[0032]50-等離子蝕刻裝置，51-反應(yīng)室，52-電極板。
【具體實(shí)施方式】
[0033]以下，對作為本發(fā)明的實(shí)施方式的等離子蝕刻裝置用硅部件進(jìn)行說明。
[0034]作為本實(shí)施方式的等離子蝕刻裝置用硅部件由多晶硅構(gòu)成，更具體而言，由通過單向凝固法制造的柱狀晶硅構(gòu)成。
[0035]該柱狀晶硅通過鑄造而制造，但其制造過程與制造一般的多晶硅時不同，以消除內(nèi)部應(yīng)力的方式制造。因此，通過單向凝固法制造的柱狀晶硅中，施加于晶粒彼此的界面(以下，稱作“晶界”)的內(nèi)部應(yīng)力得以緩和，與一般的多晶硅相比加工性優(yōu)異。另外，該柱狀晶硅還具有如下特征，即在進(jìn)行單向凝固時從結(jié)晶中排除雜質(zhì)的同時使其結(jié)晶化，因此能夠得到高純度產(chǎn)物。
[0036]并且，作為本實(shí)施方式的等離子蝕刻裝置用硅部件作為摻雜劑含有I X 1018atoms/cc以上I X 102°atoms/cc以下的范圍內(nèi)的硼。并且，氧濃度抑制為5X 1017atoms/cc以下，氮濃度調(diào)整為7X 1014atoms/cc以上4X 1015atoms/cc以下的范圍。
[0037]另外，作為本實(shí)施方式的等離子蝕刻裝置用硅部件由較強(qiáng)地取向于(111)取向的多晶硅構(gòu)成。具體而言，如圖2所示的例示，用EBSD法測定表面的結(jié)晶取向，并求出以(OOI)、( 101)、( 111)為頂點(diǎn)的立體三角形內(nèi)的取向分布，通過連接各邊的二等分點(diǎn)與所述立體三角形的重心的線來將該立體三角形分割為三個區(qū)域、即(OOl)側(cè)區(qū)域A、( 101)側(cè)區(qū)域B、(111)側(cè)區(qū)域C時，分布在(111)側(cè)區(qū)域C內(nèi)的比例被設(shè)為70%以上。
[0038]接著，參考圖1對制造成為作為本實(shí)施方式的等離子蝕刻裝置用硅部件的原料的多晶硅錠時所使用的多晶硅錠制造裝置10進(jìn)行說明。
[0039]該多晶硅錠制造裝置10具備積存有硅熔融液L的坩堝20、載置有該坩堝20的冷卻板12、從下方支承該冷卻板12的底部加熱器13、及配置在坩堝20的上方的頂部加熱器
14。并且，在坩堝20的周圍設(shè)置有絕熱材料15。[0040]冷卻板12呈空心結(jié)構(gòu)，且呈經(jīng)由供給管16向內(nèi)部供給Ar氣體的結(jié)構(gòu)。
[0041 ] 坩堝20的水平截面形狀呈方形(四邊形)或圓形(O形)，本實(shí)施方式中，被設(shè)為方形(四邊形)。
[0042]該坩堝20由石英(SiO2)構(gòu)成，在其內(nèi)表面涂布有氮化硅(Si3N4)。S卩，坩堝20內(nèi)的硅熔融液L構(gòu)成為不與石英(SiO2)直接接觸。
[0043]接著，對使用該多晶硅錠制造裝置10來制造多晶硅錠的方法進(jìn)行說明。
[0044]首先，在坩堝20內(nèi)裝入硅原料。其中，作為硅原料使用粉碎IlN (純度99.999999999)的高純度硅而得到的被稱作“厚塊”的塊狀原料。該塊狀硅原料的粒徑例如被設(shè)為30mm至100mm。
[0045]并且，在添加硼時將預(yù)先以高濃度添加硼的硅晶圓或金屬硼用作原料，并進(jìn)行稱量，以達(dá)到預(yù)定的添加量，之后投入到放入有硅原料的坩堝20內(nèi)。另外，硼的添加量被調(diào)整成硅結(jié)晶中的硼的含量在lX1018atoms/cc以上I X 102°atoms/cc以下的范圍。
[0046]對頂部加熱器14及底部加熱器13進(jìn)行通電來對該硅原料進(jìn)行加熱。因此，被加熱的硅原料熔解，在坩堝20內(nèi)積存有硅熔融液L。其中，作為硅熔解后的條件優(yōu)選保持1500。。、2h。
[0047]接著，停止對底部加熱器13的通電，經(jīng)由供給管16向冷卻板12的內(nèi)部供給Ar氣體。由此,對坩堝20的底部進(jìn)行冷卻。另外，通過逐漸減小對頂部加熱器14的通電，坩堝20內(nèi)的硅熔融液L從坩堝20的底部開始進(jìn)行冷卻，從底部向上方延伸的柱狀晶生長并單向凝固。其中，作為鑄造條件，凝固速度優(yōu)選調(diào)整為5mm/h以上10mm/h以下的范圍。
[0048]此時，硅的擇優(yōu)生長取向?yàn)椤?00〉、〈111〉取向，因此作為柱狀晶存在較多朝向這些取向的柱狀晶，但本實(shí)施方式中，尤其將鑄造條件調(diào)整成促進(jìn)[111]取向的生長。具體而言，優(yōu)選將凝固速度設(shè)為5mm/h以上10mm/h以下的范圍。并且，作為控制結(jié)晶取向的手段，還能夠利用籽晶(硅單晶)、枝晶生長等。
[0049]由此，多晶硅錠通過單向凝固法制造。
[0050]并且，對所獲多晶硅錠進(jìn)行加工，通過將表面研磨成鏡面研磨以上的平坦度來制造在等離子蝕刻裝置的反應(yīng)室內(nèi)部使用的等離子蝕刻裝置用硅部件。另外，作為等離子蝕刻裝置用硅部件，可舉出例如電極板、及保護(hù)環(huán)、密封環(huán)、接地環(huán)等各種環(huán)。
[0051]根據(jù)上述結(jié)構(gòu)的作為本實(shí)施方式的等離子蝕刻裝置用硅部件，含有IX 1018atoms/cc以上lX102°atomS/CC以下的范圍內(nèi)的硼作為摻雜劑，因此蝕刻速度變得緩慢，即使配置在等離子蝕刻裝置的反應(yīng)室內(nèi)部也能夠抑制提前損耗，并且能夠抑制粒子的產(chǎn)生。并且，不會析出固溶于硅的剩余的硼。
[0052]并且,氧濃度抑制在5X 1017atoms/cc以下，由此能夠可靠地抑制蝕刻速度，并能夠抑制由等離子蝕刻引起的提前損耗。另外，本實(shí)施方式中，使用由石英(SiO2)構(gòu)成且在其內(nèi)面涂布有氮化硅(Si3N4)的坩堝20來進(jìn)行鑄造，并且以坩堝20內(nèi)的硅熔融液L不與石英(SiO2)直接接觸的方式進(jìn)行鑄造，因此能夠?qū)⒀鯘舛冉档椭?X1017atomS/CC以下。另外，通過使凝固速度減慢至10mm/h以下,能夠促進(jìn)氧作為SiO氣體從娃熔融液L中排放,能夠?qū)崿F(xiàn)氧濃度的下降。此時，將惰性氣體噴涂到坩堝20的上方，從而能夠進(jìn)一步促進(jìn)SiO的排放。并且，將硅熔融液L的溫度設(shè)為1430°C以下，從而能夠降低在硅熔融液L中溶解的氧量。[0053]另外，氮濃度被設(shè)為7X 1014atoms/cc以上4X 1015atoms/cc以下的范圍，因此能夠減慢蝕刻速度，并能夠抑制由等離子蝕刻引起的提前損耗。并且，能夠抑制剩余的氮作為氮化硅而析出。另外，本實(shí)施方式中，使用由石英(SiO2)構(gòu)成且在其內(nèi)面涂布有氮化硅(Si3N4)的坩堝20，因此能夠?qū)⒌獫舛仍O(shè)為7X 1014atoms/cc以上4X 1015atoms/cc以下的范圍。其中，氮因上述涂布而混入硅熔融液L內(nèi)，因此將凝固速度加速至5mm/h以上，從而能夠?qū)崿F(xiàn)氮濃度下降。另外，氮的偏析系數(shù)非常小，因此優(yōu)選通過促進(jìn)對流來使氮濃度在整個硅熔融液L中均勻化。并且，將硅熔融液L的溫度設(shè)為1450°C以下，從而能夠降低在硅熔融液L中溶解的氮量。
[0054]并且，本實(shí)施方式的等離子蝕刻裝置用硅部件中，如在圖2中例示，用EBSD法測定表面的結(jié)晶取向并求出以(001 )、( IOI )、( 111)為頂點(diǎn)的立體三角形內(nèi)的取向分布，通過連接各邊的二等分點(diǎn)與所述立體三角形的重心的線來將該立體三角形分割為三個區(qū)域、即
(001)側(cè)區(qū)域A、( 101)側(cè)區(qū)域B、(111)側(cè)區(qū)域C，通過用全部測定點(diǎn)數(shù)除位于各區(qū)域內(nèi)的測定點(diǎn)數(shù)來求出在這些各區(qū)域內(nèi)所占的結(jié)晶取向分布的比例，且分布在(111)側(cè)區(qū)域C內(nèi)的比例被設(shè)為70%以上，且被設(shè)為由較強(qiáng)地取向于[111]取向的多晶硅構(gòu)成的部件，由此能夠進(jìn)一步降低蝕刻速度。
[0055]另外，如上所述，本實(shí)施方式中，使用通過單向凝固法得到的多晶硅錠，從而能夠減少硅以外的金屬元素等雜質(zhì)，并能夠抑制蝕刻不均的產(chǎn)生。由此，能夠抑制部件的一部分局部損耗，并能夠延長部件的壽命。
[0056]以上，對作為本發(fā)明的實(shí)施方式的等離子蝕刻裝置用硅部件進(jìn)行了說明，但并不限定于此，能夠適當(dāng)進(jìn)行設(shè)計變更。
[0057]例如，將使用圖1所示的多晶硅錠制造裝置來制造的多晶硅錠作為原料的硅部件進(jìn)行了說明，但并不限定于此，也可將通過其他結(jié)構(gòu)的制造裝置制造的多晶硅、準(zhǔn)單晶硅、單晶硅作為原料。
[0058]準(zhǔn)單晶硅通過如下方法制造:在用氮化硅涂布的石英坩堝的底部對例如厚度20mm的(111)面的籽晶(單晶硅)進(jìn)行排列，并在其上方放入多晶硅原料，且將硼添加至達(dá)到預(yù)定的濃度，并通過控制上下加熱器的溫度而使籽晶不完全熔解而單向凝固。
[0059]并且，關(guān)于單晶硅，在涂布有鋇(Ba)的石英坩堝中放入多晶硅原料，且添加在表面形成有氮化硅膜的硅晶圓、及以高濃度添加有硼的晶圓或金屬硼，以使成為預(yù)定的氮濃度及硼濃度，利用〈111〉籽晶來拉晶，以使拉晶后的單晶成為〈111〉面取向。另外，也可為了降低單晶硅中的氧濃度而增加拉晶過程中的真空度。
[0060][實(shí)施例]
[0061]示出為了確認(rèn)本發(fā)明的效果而進(jìn)行的確認(rèn)試驗(yàn)的結(jié)果。利用在本實(shí)施方式中所說明的硅錠制造裝置來制造680mm見方X高度300mm的四邊形柱狀多晶硅錠。此時，對作為摻雜劑的硼的含量進(jìn)行調(diào)整，并且調(diào)整氧濃度、氮濃度，制造出具有表I所示的組成的多晶硅錠。另外，對凝固速度進(jìn)行調(diào)整，從而將分布于(111)側(cè)區(qū)域C的比例調(diào)整成70%以上。從這些錠切出IOOmm見方X厚度Imm的板，對板的主面進(jìn)行鏡面研磨來制造被測試材料。另外，通過SIMS來測定硼的含量、氧濃度及氮濃度。
[0062]利用等離子蝕刻裝置(UniversalTechnics C0., Ltd 制 YR-4011 1H-DXII)來對由此得到的被測試材料進(jìn)行等離子蝕刻處理，使用表面粗糙度計(Bruker AXS制Dektak)來測定蝕刻部與掩模部之間的高低差，并計算蝕刻速度。另外，等離子蝕刻條件被設(shè)為真空度:50mTorr、蝕刻時間:30分鐘、蝕刻氣體:SF6、蝕刻氣體流量:10sccm、輸出功率:100W。將評價結(jié)果示于表1。
[0063][表1]
[0064]
【權(quán)利要求】
1.一種等離子蝕刻裝置用硅部件，其在等離子蝕刻裝置的反應(yīng)室內(nèi)部使用，所述等離子蝕刻裝置用硅部件的特征在于， 由多晶硅、準(zhǔn)單晶硅或單晶硅中的任一種構(gòu)成， 含有l(wèi)X1018atoms/cc以上I X 102°atoms/cc以下的范圍內(nèi)的硼作為摻雜劑。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子蝕刻裝置用硅部件，其特征在于， 氧濃度為5X 1017atoms/cc以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子蝕刻裝置用硅部件，其特征在于， 氮濃度被設(shè)為7X 1014atoms/cc以上4X 1015atoms/cc以下的范圍。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子蝕刻裝置用硅部件，其特征在于， 氮濃度被設(shè)為7X 1014atoms/cc以上4X 1015atoms/cc以下的范圍。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子蝕刻裝置用硅部件，其特征在于， 用EBSD法測定表面的結(jié)晶取向并求出以(OOI)、( 101)、( 111)為頂點(diǎn)的立體三角形內(nèi)的取向分布，通過連接各邊的二等分點(diǎn)與所述立體三角形的重心的線來將該立體三角形分割為三個區(qū)域、即(001)側(cè)區(qū)域、(101)側(cè)區(qū)域、(111)側(cè)區(qū)域，通過用全部測定點(diǎn)數(shù)除位于各區(qū)域內(nèi)的測定點(diǎn)數(shù)來求出在這些各區(qū)域內(nèi)所占的結(jié)晶取向分布的比例，且分布在(111)側(cè)區(qū)域內(nèi)的比例被設(shè)為70% 以上。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子蝕刻裝置用硅部件，其特征在于， 用EBSD法測定表面的結(jié)晶取向并求出以(001)、( 101)、( 111)為頂點(diǎn)的立體三角形內(nèi)的取向分布，通過連接各邊的二等分點(diǎn)與所述立體三角形的重心的線來將該立體三角形分割為三個區(qū)域、即(001)側(cè)區(qū)域、(101)側(cè)區(qū)域、(111)側(cè)區(qū)域，通過用全部測定點(diǎn)數(shù)除位于各區(qū)域內(nèi)的測定點(diǎn)數(shù)來求出在這些各區(qū)域內(nèi)所占的結(jié)晶取向分布的比例，且分布在(111)側(cè)區(qū)域內(nèi)的比例被設(shè)為70%以上。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的等離子蝕刻裝置用硅部件，其特征在于， 用EBSD法測定表面的結(jié)晶取向并求出以(001)、( 101)、( 111)為頂點(diǎn)的立體三角形內(nèi)的取向分布，通過連接各邊的二等分點(diǎn)與所述立體三角形的重心的線來將該立體三角形分割為三個區(qū)域、即(001)側(cè)區(qū)域、(101)側(cè)區(qū)域、(111)側(cè)區(qū)域，通過用全部測定點(diǎn)數(shù)除位于各區(qū)域內(nèi)的測定點(diǎn)數(shù)來求出在這些各區(qū)域內(nèi)所占的結(jié)晶取向分布的比例，且分布在(111)側(cè)區(qū)域內(nèi)的比例被設(shè)為70%以上。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的等離子蝕刻裝置用硅部件，其特征在于， 用EBSD法測定表面的結(jié)晶取向并求出以(001)、( 101)、( 111)為頂點(diǎn)的立體三角形內(nèi)的取向分布，通過連接各邊的二等分點(diǎn)與所述立體三角形的重心的線來將該立體三角形分割為三個區(qū)域、即(001)側(cè)區(qū)域、(101)側(cè)區(qū)域、(111)側(cè)區(qū)域，通過用全部測定點(diǎn)數(shù)除位于各區(qū)域內(nèi)的測定點(diǎn)數(shù)來求出在這些各區(qū)域內(nèi)所占的結(jié)晶取向分布的比例，且分布在(111)側(cè)區(qū)域內(nèi)的比例被設(shè)為70%以上。
9.一種等離子蝕刻裝置用硅部件的制造方法，其特征在于，該方法為制造權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的等離子蝕刻裝置用硅部件的方法， 所述方法具有:硅熔融液形成工序，形成硼的含量被設(shè)為lX1018atoms/CC以上I X 1020atoms/cc以下的范圍內(nèi)的硅熔融液；及單向凝固工序，使所述硅熔融液單向凝固， 所述單向凝固工序中的凝固速度被設(shè)為5mm/h以上10mm/h以下的范圍內(nèi)。
【文檔編號】H01L21/67GK103903952SQ201310733719
【公開日】2014年7月2日 申請日期:2013年12月26日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月27日
【發(fā)明者】菊池文武, 中田嘉信 申請人:三菱綜合材料株式會社