技術(shù)編號(hào)：6996931
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是有關(guān)于一種，且特別是有關(guān)于一種防止動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器元件的淺溝渠隔離區(qū)遭到損害的方法。背景技術(shù) 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器是利用基底上大量的電容器的帶電荷及不帶電荷來儲(chǔ)存二進(jìn)制數(shù)據(jù)。一個(gè)電容器代表一存儲(chǔ)位，對(duì)于其儲(chǔ)存的二進(jìn)制數(shù)據(jù)“0”或“1”分別代表電容器“帶電荷”或“不帶電荷”的狀態(tài)。通過轉(zhuǎn)移場(chǎng)效晶體管，DRAM中讀/寫的動(dòng)作可被完成，其中轉(zhuǎn)移場(chǎng)效晶體管的源極與位線(Bite Line，BL)連接，其漏極與電容器連接，而其柵極與字符線(Word Line...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。