技術(shù)編號(hào)：6991995
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及存儲(chǔ)器裝置、包括存儲(chǔ)器裝置的半導(dǎo)體器件以及包括存儲(chǔ)器裝置的電子裝置。背景技術(shù)包括在絕緣表面之上形成的半導(dǎo)體膜的晶體管是半導(dǎo)體器件的必不可少的半導(dǎo)體元件。由于在襯底的容許溫度極限方面對(duì)晶體管的制造存在限制，所以在有源層中包括能夠以較低溫度來沉積的非晶硅、能夠通過借助于激光束或催化元件的晶化來得到的多晶硅等的晶體管主要用于半導(dǎo)體顯示裝置。近年來，呈現(xiàn)半導(dǎo)體特性的稱作氧化物半導(dǎo)體的金屬氧化物作為具有通過多晶硅或微晶硅所得到的高遷移率并且具有通過非晶硅所...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。