技術(shù)編號(hào)：6952767
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明通常涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，具體來說，涉及一種石墨烯的半 導(dǎo)體器件及其制造方法。背景技術(shù)當(dāng)前，針對(duì)前瞻性先導(dǎo)研究，國(guó)際上最關(guān)心的是llnm-16nm技術(shù)代以后，CMOS器件 是否還能象現(xiàn)在這樣基于硅半導(dǎo)體襯底。一個(gè)研究熱點(diǎn)是開發(fā)新的具有更高載流子遷移率 的材料體系和新的技術(shù)手段來進(jìn)一步延展摩爾定律和超越硅CMOS (Beyond Si-CMOS)，推進(jìn) 集成電路技術(shù)的發(fā)展。石墨烯材料以其優(yōu)異的物理性質(zhì)得到了廣泛的關(guān)注，比如其高的載流子遷移率、...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。