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技術(shù)編號(hào)：6939651

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本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別涉及一種半導(dǎo)體器件和使用應(yīng)力記憶技術(shù) (SMT, Stress Memorization Technology)工藝制造半導(dǎo)體器件的方法。背景技術(shù)在現(xiàn)有的半導(dǎo)體制造工藝中，引入了一種應(yīng)力記憶技術(shù)(SMT， StressMemorization Technology)工藝，用于源極/漏極(S/D)離子注入步驟后，以誘發(fā)應(yīng) 力于金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)的溝道區(qū)域，借此改善所制造的元器件的電學(xué) 特性。在傳統(tǒng)的SMT工...
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