技術(shù)編號：6935584
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明大體涉及半導(dǎo)體技術(shù)，并且尤其涉及用于在屏蔽和非屏蔽溝槽場效應(yīng)晶體管(FET)中形成才及間電介質(zhì)(IED)和其^f也電介 質(zhì)區(qū)的結(jié)構(gòu)和方法。背景技術(shù)屏蔽柵溝槽FET相比于傳統(tǒng)FET的優(yōu)勢在于屏蔽電極減小了 才冊-漏電容(Cgd)并且改善了晶體管的擊穿電壓而不犧牲導(dǎo)通電阻。 傳統(tǒng)屏蔽柵溝槽FET包括在柵電極之下的屏蔽電極。屏蔽電極和柵 電極通過稱為極間電介質(zhì)或IED的電介質(zhì)層^皮相互絕緣。4冊電極通 過柵電介質(zhì)與其鄰近的體區(qū)絕緣。用于形成IED和柵電介質(zhì)...
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