技術編號：6934563
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本申請涉及半導體技術，更具體地，涉及一種包括在襯底中形成第一和第二器件的半導體制造方法。 背景技術半導體集成電路(IC)產(chǎn)業(yè)已經(jīng)經(jīng)歷了快速增長。IC材料和設計的技術進步已經(jīng) 產(chǎn)生了多個IC生產(chǎn)代，其中每一代具有比前一代更小和更復雜的電路。然而，這些進步增 加了加工和制造IC的復雜性，對于將實現(xiàn)的這些進步，需要在IC加工和制造中進行類似的 研發(fā)(development)。通常，在集成電路的發(fā)展過程中，普遍地增加了功能密度(即，每芯片 面積上互連器件的數(shù)量)而...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。