技術(shù)編號(hào)：6904323
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是關(guān)于閃存技術(shù)，特別是關(guān)于適用高速擦除與編程操作的可微 縮電荷捕捉存儲(chǔ)器技術(shù)。背景技術(shù)閃存是非易失集成電路存儲(chǔ)器技術(shù)中的一種，傳統(tǒng)閃存利用浮動(dòng)?xùn)艠O 存儲(chǔ)單元。當(dāng)存儲(chǔ)裝置的密度提高，浮動(dòng)?xùn)艠O存儲(chǔ)單元會(huì)更加接近，相鄰 浮動(dòng)?xùn)艠O中所儲(chǔ)存電荷的相互影響就會(huì)造成問(wèn)題。就浮動(dòng)?xùn)艠O存儲(chǔ)單元技 術(shù)而言，上述問(wèn)題限制了增加閃存密度的空間。另一種型態(tài)的閃存所采用 的存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)，稱(chēng)為電荷捕捉存儲(chǔ)單元，其是利用介電電荷捕捉層來(lái)取 代浮動(dòng)?xùn)艠O。電荷捕捉存儲(chǔ)單元使用介電電荷捕...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。