技術(shù)編號:6886920
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明大體上系關(guān)于用于制造半導(dǎo)體組件之方法,且更詳言之, 系關(guān)于用于制造具有高介電常數(shù)電介質(zhì)之電容器之半導(dǎo)體組件。背景技術(shù)大多數(shù)目前的集成電路(IC)系利用復(fù)數(shù)個互連(interconnected)場效 晶體管(FET)來實作,該等場效晶體管亦稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶 體管(MOSFET或MOS晶體管)。IC通常利用P-信道及N-信道FET兩 者而形成,于是將該IC稱為互補MOS或CMOS電路。FET IC之效能 的某些改善可通過于半導(dǎo)體材料薄層中形成F...
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