技術(shù)編號(hào)：6886033
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種納米線隧穿晶體管，尤其涉及一種根據(jù)權(quán)利要 求1所述的納米線隧穿晶體管。背景技術(shù)隨著金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(M0SFET)的溝道長(zhǎng)度進(jìn) 入納米時(shí)代，短溝道效應(yīng)變得越來越顯著。因此，需要對(duì)納米級(jí)的 M0SFET進(jìn)行有效的溝道控制以獲得良好的器件性能。因此，開發(fā)了 硅納米線，硅納米線能實(shí)現(xiàn)多柵極、"全環(huán)柵極"或"環(huán)繞"柵極晶 體管。已經(jīng)開發(fā)了作為可能的未來晶體管器件選擇的垂直外延半導(dǎo)體 納米線器件。在已經(jīng)檢驗(yàn)的許多器件中，研究最廣泛的是"環(huán)繞...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。