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技術(shù)編號(hào)：6875835

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本發(fā)明涉及一種將MOSFET用作反熔絲的方法、相應(yīng)的半導(dǎo)體元件和相應(yīng)的集成電路。背景技術(shù) 這個(gè)類型的MOSFET的柵極電介質(zhì)在正常工作下具有高擊穿電壓。為了進(jìn)一步增加該擊穿電壓，在MOSFET的兩個(gè)摻雜區(qū)之間經(jīng)常提供過(guò)渡區(qū)，其已知是分別連接到源和漏端和設(shè)置在之間的輕摻雜溝道區(qū)(所謂的LDD＝輕摻雜漏區(qū))。這樣的MOSFET也稱為L(zhǎng)DD-MOSFET。例如，如果這樣的晶體管在半導(dǎo)體元件中使用，例如在FPGA(現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列)中使用，其中它們么用作用于編程特...
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