技術(shù)編號：6871037
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及存儲矩陣以及存儲設(shè)備、特別是一個MRAM存儲設(shè)備的字線的驅(qū)動電路。背景技術(shù) 半導體存儲器通常包括一個帶有列線和行線、字線和位線的矩陣的單元區(qū)域，各自存儲單元處在這些線的交叉點上。為此在存儲部件中，在讀和寫的過程中字線用于尋址。位線用于存儲單元的讀或者寫。磁性隧道元件(TMR元件；TMR隧道磁阻)典型地用作MRAM存儲單元中的存儲元件。一個如此的TMR元件原則上包括二個磁層、一個吸附磁層和一個軟磁層。這二層通過幾個原子層厚的絕緣中間層彼此分離。不僅...
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