技術(shù)編號(hào):6870761
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件測(cè)試,特別涉及一種MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的WAT(晶片可接受度測(cè)試)的測(cè)試裝置和用于制造測(cè)試裝置的基版。背景技術(shù) 隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的飛速發(fā)展,半導(dǎo)體器件為了達(dá)到更快的運(yùn)算速度、更大的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)量以及更多的功能,半導(dǎo)體晶片朝向更高的元件密度、高集成度方向發(fā)展,柵極變得越來(lái)越細(xì)且長(zhǎng)度變得較以往更短。因此形成柵極的圖案化精度更高,淺溝槽隔離(STI,shallow trench isolation)技術(shù)普遍用于柵極的...
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