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技術(shù)編號：6869835

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本發(fā)明一般涉及一種磁性隨機存取存儲(MRAM)器件及其制造方法，特別涉及一種MRAM器件寫入線結(jié)構(gòu)。背景技術(shù) 磁性隨機存取存儲器(MRAM)技術(shù)發(fā)展目前正在由半導(dǎo)體工業(yè)用作為一種非易失性存儲器。MRAM還可以被用作為動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)或靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)的替換。在此有兩種主要的MRAMMTJ(磁性隧道結(jié))和GMR(大磁阻)MRAM。圖1示出包括與多個數(shù)字線14相交的一個寫入線或位線12的MTJ陣列10的一部分或一個存儲位。在每個交叉...
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