技術(shù)編號(hào)：6854917
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件，更具體地說，涉及場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)及相關(guān)的器件。背景技術(shù) 在過去的30年，基于硅的集成電路技術(shù)，如包括場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET和/或MOSFET)金屬氧化物-半導(dǎo)體(MOS)器件的發(fā)展，在降低成本的同時(shí)，提供更快的器件速度、增加的集成度以及增加的器件功能。參考圖1A，MOS器件典型地形成在具有重?fù)诫s源/漏區(qū)(S/D)區(qū)12的襯底10中，源/漏區(qū)(S/D)區(qū)12被更輕摻雜的溝道區(qū)18分開。溝道區(qū)18可以被柵電極14控制，柵電極14通過柵...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。