技術(shù)編號：6851057
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種記憶體元件及其制造方法以及操作方法，特別是涉及一種。背景技術(shù) 非揮發(fā)性記憶體由于具有可多次進(jìn)行資料的存入、讀取、抹除等動作，且存入的資料在斷電后也不會消失的優(yōu)點(diǎn)。因此，已成為個(gè)人電腦和電子設(shè)備所廣泛采用的一種非揮發(fā)性記憶體元件。典型的非揮發(fā)性記憶體元件是以摻雜多晶硅制作浮置閘極(FloatingGate)與位于浮置閘極上方的控制閘極(Control Gate)。而且，浮置閘極與控制閘極之間是以閘間介電層相隔，且浮置閘極與基底間以是穿隧層相隔。...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。