技術(shù)編號：6847867
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及熱電(溫差電)半導(dǎo)體材料的制備方法，特別涉及含有納米尺度的硅，In，InSb或Sb量子線或點的納-微米多孔硅的制備。背景技術(shù) 自上一世紀(jì)50年代以來獲得實際應(yīng)用的熱電材料均為半導(dǎo)體材料。其中存在的問題是熱電轉(zhuǎn)換效率低。為提高熱電材料的轉(zhuǎn)換效率科學(xué)家們進(jìn)行了大量的研究工作，但一直沒有大的進(jìn)展，熱電材料的無量綱優(yōu)值(ZT)一直徘徊在1左右，使絕大多數(shù)本領(lǐng)域的研究者中途放棄了他們的研究方向。直到上一世紀(jì)90年代以美國科學(xué)家為代表將固體量子理論應(yīng)用于熱電...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。