技術編號：6844146
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明通常涉及一種晶體管，具體地，涉及一種制造具有獨立柵極結構的晶體管的方法。背景技術 具有與溝道區(qū)側壁相鄰的柵極結構的晶體管用于實現(xiàn)半導體器件中的電路。這種晶體管的一個例子是FinFET晶體管。典型地，F(xiàn)inFET晶體管包括位于垂直于襯底延伸的“鰭片”結構中的溝道區(qū)，和包括沿著鰭片結構的溝道側設置的垂直柵極元件的柵極結構。在一些實施例中，溝道區(qū)在向上延伸的源極區(qū)和漏極區(qū)之間延伸。FinFET的一個例子在美國專利6,413,802中示出。對于半導體器件，希...
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