技術(shù)編號(hào)：6834806
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。相關(guān)申請(qǐng)的交叉參考本申請(qǐng)基于并要求在2003年8月27日提交的在先日本專利申請(qǐng)No.2003-209073的優(yōu)先權(quán)，這里引證其全部?jī)?nèi)容供參考。背景技術(shù)1、發(fā)明領(lǐng)域本發(fā)明涉及IC(集成電路)和LSI(大規(guī)模集成)等半導(dǎo)體集成電路器件，特別涉及具有保護(hù)內(nèi)部電路不受ESD(靜電放電)影響的ESD保護(hù)電路的半導(dǎo)體集成電路器件。2、相關(guān)技術(shù)的說明在機(jī)械搬運(yùn)半導(dǎo)體集成電路器件等情況下發(fā)生ESD時(shí)，幾百V～幾千V的高電壓在極短時(shí)間內(nèi)施加于半導(dǎo)體集成電路器件上，就會(huì)破壞內(nèi)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。