技術(shù)編號：6830914
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及在半導(dǎo)體襯底上具有包括存儲保持部的存儲保持電路的半導(dǎo)體集成電路。本發(fā)明特別涉及具有寄存器文件、SRAM(靜態(tài)隨機存取存儲器Static Random Access Memory)等存儲保持電路的半導(dǎo)體集成電路，涉及利用了襯底電位效應(yīng)的半導(dǎo)體集成電路。背景技術(shù) 關(guān)于具有存儲保持電路的半導(dǎo)體集成電路，有圖21所示結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體集成電路(例如，參照特開平11-39879號(段落0018、圖3))。在該半導(dǎo)體集成電路中，用2個倒相器210、220構(gòu)成存儲保...
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