技術(shù)編號(hào)：6829024
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及由至少一只選擇晶體管和包含高ε或鐵電介質(zhì)的一只存儲(chǔ)電容器構(gòu)成的存儲(chǔ)單元的制法，其中，在半導(dǎo)體本體內(nèi)或上選擇晶體管安排在第1平面內(nèi)，而存儲(chǔ)電容器安排在第2平面內(nèi)，其中第1平面通過(guò)硅制第1插塞與第2平面電學(xué)連接，由硅制成的第2插塞連接其上，該第2插塞與存儲(chǔ)電容器的存儲(chǔ)節(jié)電極電學(xué)連接。這種存儲(chǔ)單元可以從DE19540213A1獲悉。此外，在DE19543539C1描述了一種存儲(chǔ)器裝置的制法，其中在半導(dǎo)體本體上沉積的第1絕緣層中插入第1插塞。然后在這第1...
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