技術(shù)編號(hào)：6824209
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及利用3-5族氮化物系列化合物半導(dǎo)體的發(fā)光二極管和半導(dǎo)體激光器等發(fā)光器件用的，或高輸出場(chǎng)效應(yīng)晶體管用的GaN單晶襯底及其制造方法。特別是涉及n型GaN襯底的制造方法。由于問題在于半導(dǎo)體的傳導(dǎo)型，所以這里將能形成傳導(dǎo)型的雜質(zhì)稱為摻雜劑。除此以外的雜質(zhì)簡(jiǎn)單地稱為雜質(zhì)，以示區(qū)別。在3-5化合物半導(dǎo)體中容易獲得襯底晶體的物質(zhì)是GaAs、InP、GaP等。采用布里茲曼法或丘克拉斯基法能使它們生長(zhǎng)成大型的單晶。將單晶晶錠切斷后制成襯底?？墒侵两襁€沒有將GaN制...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。