技術(shù)編號：6820377
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種動態(tài)隨機存取存儲器的電容器的制造方法，特別是涉及一種島狀雙冠狀(Double-crown)電容器存儲電極的制造方法。隨著半導體元件的集成密度(Integration)的增加，一般需依據(jù)集成電路元件制造方法逐漸縮減的設(shè)計原則(Design Rules)來減小電路結(jié)構(gòu)元件的尺寸。而DRAM電容器元件尺寸的縮小，電容器的電容量也會減小，如此會導致電容器非常容易受α粒子輻射的影響。此外，當電容量(Capacitance)降低時，由存儲電容器所存儲的電...
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