技術(shù)編號(hào)：6810393
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及制造如集成電路、微機(jī)械結(jié)構(gòu)等微結(jié)構(gòu)的領(lǐng)域，更具體地，涉及超薄介電氧化層的形成，該超薄介電氧化層中結(jié)合了氮以增加該本身的介電系數(shù)并通過(guò)該氧化層來(lái)減少電荷載流子遷移。背景技術(shù) 近來(lái)，微結(jié)構(gòu)已整合至廣泛的不同的產(chǎn)品中。其中一例便是集成電路的應(yīng)用，由于微結(jié)構(gòu)具有相當(dāng)?shù)偷某杀九c高的性能，故已越來(lái)越多地應(yīng)用在多種類型的裝置中，由此為這些裝置提供優(yōu)異的控制與操作?；诮?jīng)濟(jì)考慮，如集成電路等微結(jié)構(gòu)的制造者，必須面對(duì)隨著市場(chǎng)上出現(xiàn)的每個(gè)新一代而不斷提升這些微結(jié)構(gòu)性...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。