技術(shù)編號(hào):6808553
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),特別是涉及改變某些半導(dǎo)體層晶界的取向。一種在半導(dǎo)體工業(yè)和在模擬射頻(RF)器件工業(yè)中特別有用的器件是外延基區(qū)雙極晶體管。在某些結(jié)構(gòu)中,外延基區(qū)雙極晶體管包括由鄰近多晶硅部分的外延部分組成的基區(qū)。一種晶體的“晶界”存在于多晶部分和基區(qū)的外延部分之間的界面處。晶界有一個(gè)特別的取向。這種取向的特性對(duì)器件的基區(qū)電阻(Rb)有著明顯的影響。本領(lǐng)域技術(shù)人員眾所周知,對(duì)射頻器件來(lái)說(shuō),基區(qū)電阻影響重要的特性參數(shù),例如,功率增益和噪聲數(shù)值。故希望把Rb...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。