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制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):6808553

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本發(fā)明涉及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),特別是涉及改變某些半導(dǎo)體層晶界的取向。一種在半導(dǎo)體工業(yè)和在模擬射頻(RF)器件工業(yè)中特別有用的器件是外延基區(qū)雙極晶體管。在某些結(jié)構(gòu)中,外延基區(qū)雙極晶體管包括由鄰近多晶硅部分的外延部分組成的基區(qū)。一種晶體的“晶界”存在于多晶部分和基區(qū)的外延部分之間的界面處。晶界有一個(gè)特別的取向。這種取向的特性對(duì)器件的基區(qū)電阻(Rb)有著明顯的影響。本領(lǐng)域技術(shù)人員眾所周知,對(duì)射頻器件來(lái)說(shuō),基區(qū)電阻影響重要的特性參數(shù),例如,功率增益和噪聲數(shù)值。故希望把Rb...
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