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P++襯底上p-層硅外延片的制備方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):6787177

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本發(fā)明涉及硅外延片。背景技術(shù)數(shù)字處理器部分處理能力的提高,對(duì)作為端口或模擬信號(hào)處理的模擬部分提出了更高的要求,標(biāo)準(zhǔn)MOS在高速電路中的地位受到懷疑,各種新型CMOS工藝技術(shù)工藝發(fā)展迅速。有一些公司對(duì)原有MOS工藝做了革新,其中使用外延片作為原材料減少電路中寄生效應(yīng)為最重要的改進(jìn)之一。芯片的速度,集成度、功耗、芯片的成本以及研發(fā)周期是決定一個(gè)公司選擇工藝的重要方面,開(kāi)發(fā)出合格的CMOS工藝用外延片(主要是P型材料)成為迫切需要,使標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝在高速模擬、...
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