技術(shù)編號(hào)：6771314
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是有關(guān)非易失性內(nèi)存,特別是關(guān)于ー種多位單元(multi-bit percell)非易失性內(nèi)存的寫(xiě)入(program)方法,用以改善I禹合效應(yīng)。背景技術(shù)閃存為一種非易失性固態(tài)內(nèi)存組件，其可以電氣方式進(jìn)行抹除及寫(xiě)入。傳統(tǒng)閃存可在每ー記憶單元內(nèi)儲(chǔ)存單一位的信息，因而每ー記憶單元具有ニ可能狀態(tài)。此種傳統(tǒng)閃存因此稱為單位元單元(single-bit per cell)閃存?，F(xiàn)今閃存可在姆ー記憶單元內(nèi)儲(chǔ)存ニ或多位的信息，因而每ー記憶單元具有ニ個(gè)以上的可能狀態(tài)。此...
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