專利名稱：多位單元非易失性內(nèi)存的寫入方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)非易失性內(nèi)存,特別是關(guān)于ー種多位單元(multi-bit percell)非易失性內(nèi)存的寫入(program)方法,用以改善I禹合效應(yīng)。
背景技術(shù)：
閃存為一種非易失性固態(tài)內(nèi)存組件，其可以電氣方式進(jìn)行抹除及寫入。傳統(tǒng)閃存可在每ー記憶單元內(nèi)儲(chǔ)存單一位的信息，因而每ー記憶單元具有ニ可能狀態(tài)。此種傳統(tǒng)閃存因此稱為單位元單元(single-bit per cell)閃存。現(xiàn)今閃存可在姆ー記憶單元內(nèi)儲(chǔ)存ニ或多位的信息，因而每ー記憶單元具有ニ個(gè)以上的可能狀態(tài)。此種閃存因此稱為多位單TH (,multi-bit percell) |Xj#。在多位單元閃存中，借由儲(chǔ)存相異電荷于浮接?xùn)艠O(floating gate)中，因而得以 寫入不同狀態(tài)數(shù)據(jù)至快閃記體中。由于浮接?xùn)艠O的電荷即決定相對應(yīng)的臨界(threshold)電壓，因此數(shù)據(jù)可根據(jù)其相異的臨界電壓而自多位単元閃存讀取出來。由于記憶單元間具有エ藝或操作方面的差異性，因此每ー狀態(tài)的臨界電壓并非是固定值，而是由ー電壓范圍來定義。然而，傳統(tǒng)多位単元閃存，特別是三(或更多)位単元閃存，極易受到浮接?xùn)艠O耦合效應(yīng)及滯留(retention)效應(yīng)的影響。由于容易因狹窄的讀取邊限(read margin)而造成讀取錯(cuò)誤，因此，亟需提出一些新穎的機(jī)制，用以改善浮接?xùn)艠O耦合效應(yīng)。由此可見，上述現(xiàn)有的閃存在方法及使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進(jìn)一歩改進(jìn)。因此如何能創(chuàng)設(shè)ー種新的多位単元非易失性內(nèi)存的寫入方法，亦成為當(dāng)前業(yè)界極需改進(jìn)的目標(biāo)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，克服現(xiàn)有的閃存存在的缺陷，而提供一種新的多位單元非易失性內(nèi)存的寫入方法，所要解決的技術(shù)問題是使其用以改善耦合效應(yīng)，増加讀取邊限以降低取讀錯(cuò)誤，非常適于實(shí)用。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種多位単元非易失性內(nèi)存的寫入方法，包含讀取一目前字線以得到一最高有效位頁的第一數(shù)據(jù)，其中該目前字線位于至少一先前字線之后，該目前字線讀取成功且該先前字線讀取失??；設(shè)定至少ー參考電壓；及依該參考電壓，以ー第二數(shù)據(jù)進(jìn)行該目前字線的最高有效位頁的二次寫入，其中該第二數(shù)據(jù)不同于該第一數(shù)據(jù)。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)ー步實(shí)現(xiàn)。前述的多位單元非易失性內(nèi)存的寫入方法，其中所述的該第二數(shù)據(jù)反相于該第一數(shù)據(jù)。前述的多位單元非易失性內(nèi)存的寫入方法，其中所述的該參考電壓為ー預(yù)驗(yàn)證電壓。
前述的多位單元非易失性內(nèi)存的寫入方法，其中所述的在該二次寫入步驟之后，更包含一步驟，用以重讀該先前字線。前述的多位單元非易失性內(nèi)存的寫入方法，其中所述的重讀該先前字線的步驟之前，更包含一步驟，用以重置該參考電壓，其中該參考電壓被重置為該設(shè)定步驟之前的狀態(tài)。 前述的多位単元非易失性內(nèi)存的寫入方法，其中所述的該目前字線與該先前字線互為相鄰。前述的多位單元非易失性內(nèi)存的寫入方法，其中所述的該至少一先前字線包含多個(gè)先前字線，對于每一條先前字線及其相鄰后續(xù)字線，由后往前依序執(zhí)行該設(shè)定步驟、該ニ次寫入步驟及該重讀步驟。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種多位単元非易失性內(nèi)存的寫入方法，包含讀取一目前字線，其中該目前字線讀取失??；及第一次寫入至少ー相鄰字線的位頁，其中該相鄰字線相鄰于該目前字線。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)ー步實(shí)現(xiàn)。前述的多位単元非易失性內(nèi)存的寫入方法，其中所述的第一次寫入該至少ー相鄰字線的位頁的步驟前，更包含一步驟，其讀取以得到該至少一相鄰字線的已寫入位頁的ー第一數(shù)據(jù)，其中該第一數(shù)據(jù)不同于該相鄰字線所第一次寫入的數(shù)據(jù)。前述的多位単元非易失性內(nèi)存的寫入方法，其中所述的該相鄰字線的位頁所第一次寫入的數(shù)據(jù)反相于該第一數(shù)據(jù)。前述的多位単元非易失性內(nèi)存的寫入方法，其中所述的該相鄰字線的位頁所第一次寫入的數(shù)據(jù)為隨機(jī)數(shù)據(jù)、均勻分布數(shù)據(jù)或相同數(shù)據(jù)。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題另外還采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種多位単元非易失性內(nèi)存的寫入方法，包含讀取以得到至少ー相鄰字線的最高有效位頁的一第一數(shù)據(jù)，其中該相鄰字線相鄰于ー讀取失敗的目前字線；及以ー第二數(shù)據(jù)進(jìn)行該至少一相鄰字線的最高有效位頁的二次寫入，其中該第二數(shù)據(jù)不同于該第一數(shù)據(jù)。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)ー步實(shí)現(xiàn)。前述的多位単元非易失性內(nèi)存的寫入方法，其中所述的當(dāng)該目前字線不是該非易失性內(nèi)存的實(shí)體區(qū)塊的最后一條字線，則該相鄰字線位于該目前字線之后；當(dāng)該目前字線是該非易失性內(nèi)存的實(shí)體區(qū)塊的最后一條字線，則該相鄰字線位于該目前字線之前。前述的多位單元非易失性內(nèi)存的寫入方法，其中所述的該第二數(shù)據(jù)反相于該第一數(shù)據(jù)。前述的多位單元非易失性內(nèi)存的寫入方法，其中所述的該第二數(shù)據(jù)為隨機(jī)數(shù)據(jù)、均勻分布數(shù)據(jù)或相同數(shù)據(jù)。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果。由以上技術(shù)方案可知，本發(fā)明的主要技術(shù)內(nèi)容如下根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，讀取多位単元非易失性內(nèi)存的目前字線，以得到最高有效位頁的第一數(shù)據(jù)，其中目前字線位于至少一先前字線之后，該目前字線讀取成功且先前字線讀取失敗。設(shè)定至少ー參考電壓。依該參考電壓，以第二數(shù)據(jù)進(jìn)行目前字線的最高有效位頁的二次寫入，其中第二數(shù)據(jù)不同于第一數(shù)據(jù)。借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明多位単元非易失性內(nèi)存的寫入方法至少具有下列優(yōu)點(diǎn)及有益效果根據(jù)本發(fā)明另ー實(shí)施例，讀取目前字線，其讀取失敗。第一次寫入至少ー相鄰字線的位頁，其中該第一次寫入的位頁的寫入順序后于目前字線讀取失敗的位頁的寫入順序。根據(jù)本發(fā)明又ー實(shí)施例，讀取多位単元非易失性內(nèi)存，以得到至少ー相鄰字線的最高有效位頁的第一數(shù)據(jù)，其中該相鄰字線相鄰于讀取失敗的目前字線。以第二數(shù)據(jù)進(jìn)行該至少一相鄰字線的最高有效位頁的二次寫入，其中第二數(shù)據(jù)不同于第一數(shù)據(jù)。上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實(shí)施例，并配合附圖，詳細(xì)說明如下。



圖IA顯示本發(fā)明實(shí)施例的非易失性內(nèi)存系統(tǒng)的方框圖。圖IB的流程圖，顯示本發(fā)明第一實(shí)施例的多位単元非易失性內(nèi)存的寫入方法，用以改善耦合效應(yīng)。圖2A至圖2C例示相鄰字線WLO及WLl的臨界電壓(VT)分布，以闡釋耦合效應(yīng)及使用二次寫入以消除耦合效應(yīng)。圖3例示二位單元閃存的臨界電壓分布。圖4的流程圖，顯示圖IB的變化型實(shí)施例的多位単元非易失性內(nèi)存的寫入方法，用以改善耦合效應(yīng)。圖5A及圖5B顯示圖4流程的例子。圖6顯示二位單元閃存的記憶區(qū)塊的寫入/讀取順序。圖7A至圖7C例示二位單元閃存依照圖6所示寫入/讀取順序的臨界電壓分布。圖8A的流程圖，顯示本發(fā)明第二實(shí)施例的多位単元非易失性內(nèi)存的寫入方法，用以改善耦合效應(yīng)。圖8B例示三位単元閃存的寫入順序。圖SC的流程圖，顯示圖8A的變化型實(shí)施例的多位単元非易失性內(nèi)存的寫入方法，用以改善耦合效應(yīng)。圖9A至圖9B例示未使用預(yù)驗(yàn)證電壓的臨界電壓分布。圖9C至圖9D更例示未使用預(yù)驗(yàn)證電壓的臨界電壓分布。圖10的流程圖，顯示本發(fā)明第三實(shí)施例的多位単元非易失性內(nèi)存的寫入方法，用以改善耦合效應(yīng)。11-16:步驟11B-16B:步驟20-23 :臨界電壓分布曲線 81-84 :步驟81B-84B :步驟101-104 :步驟100:閃存單元120 :控制器
具體實(shí)施例方式為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的多位単元非易失性內(nèi)存的寫入方法其具體實(shí)施方式
、方法、步驟、特征及其功效，詳細(xì)說明如后。圖IA顯示本發(fā)明實(shí)施例的非易失性內(nèi)存系統(tǒng)(例如閃存)的方框圖。除了閃存，其它的非易失性內(nèi)存可以為相位改變內(nèi)存(phase change memory,PCM)或電子可抹除可程序只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)，但不以此為限。在本實(shí)施例中，閃存包含閃存單元100，特別是多位単元與非門(NAND)閃存單元。閃存系統(tǒng)還包含控制器120，其可二次寫入閃存單元100。控制器120可以使用硬件電路、軟件或其組合來實(shí)施。圖IB的流程圖顯示本發(fā)明第一實(shí)施例的多位単元非易失性內(nèi)存的寫入方法，用以改善耦合效應(yīng)。步驟11，閃存的第η字線WLn發(fā)生讀取失敗，其數(shù)據(jù)無法通過錯(cuò)誤校正的控制。接 著,步驟12,讀取閃存的第(η+1)字線WLn+1以得到高有效位頁(high-bit page,或最高有效位(MSB)頁)的第一數(shù)據(jù)，其讀取假設(shè)為成功。步驟13，設(shè)定字線WLn+Ι的高有效位頁(簡稱高位頁)的至少ー參考電壓(RV)，例如預(yù)驗(yàn)證(pre-verify)電壓，以利后續(xù)進(jìn)行ニ次與入字線WLn+Ι的聞?dòng)行豁?。關(guān)于非易失性內(nèi)存的_■次與入的細(xì)節(jié)，可參考本申請人另一件中國臺(tái)灣專利申請，申請案號099123079，申請日為2010年7月14日，題為“多位單元非易失性內(nèi)存的使用新順序的二次寫入方法”。接下來，步驟14，依步驟13所設(shè)定的預(yù)驗(yàn)證電壓，以第二數(shù)據(jù)二次寫入字線WLn+Ι的高有效位頁。在本實(shí)施例中，第二數(shù)據(jù)不同于第ー數(shù)據(jù)，在較佳例子中，第二數(shù)據(jù)反相于第一數(shù)據(jù)。在本實(shí)例中，“反相”指第一數(shù)據(jù)的位相反于第二數(shù)據(jù)的位。例如，位“I”的反相為位“0”，反之亦是。根據(jù)本實(shí)施例，二次寫入寫入字線WLn+Ι的高有效位頁實(shí)質(zhì)地改進(jìn)前一字線WLn的耦合效應(yīng)，因而增加其讀取邊限。步驟15，將預(yù)驗(yàn)證電壓重置回步驟13之前的狀態(tài)。最后，步驟16，重讀先前步驟11中讀取失敗的字線WLn。由于第η字線WLn的讀取邊限已得到改善，使得電位能較清楚的被辨識(shí)，增加成功讀取正確數(shù)據(jù)的機(jī)會(huì)，借此成功的讀取字線WLn的數(shù)據(jù)。圖2Α至圖2C例示相鄰字線WLO及WLl的臨界電壓(VT)分布，以闡釋耦合效應(yīng)及使用二次寫入以消除耦合效應(yīng)。圖2Α顯示寫入WLO的后的臨界電壓分布，其中曲線20表示抹除(erase)之后的臨界電壓分布，而曲線21表示寫入WLO之后的臨界電壓分布。圖2B顯示寫入WLl之后的臨界電壓分布。WLl的寫入會(huì)耦合于WL0，因而擴(kuò)展WLO上的分布22，造成讀取邊限的減小。圖2C顯示二次寫入WLl之后的臨界電壓分布。二次寫入WLl使得分布23內(nèi)縮，因而增大讀取邊限。觀察圖式可得知，WLO上形成的分布23類似于原來的分布21，只是經(jīng)過移位。圖3例示二位單元閃存的臨界電壓分布，分別表示抹除、低有效位頁(簡稱低位頁)寫入、高有效位頁寫入及高有效位頁二次寫入各種狀態(tài)。其中，高有效位頁二次寫入系依新的預(yù)驗(yàn)證電壓并使用反相數(shù)據(jù)。圖4的流程圖顯示圖IB的變化型實(shí)施例的多位単元非易失性內(nèi)存的寫入方法，用以改善耦合效應(yīng)。步驟11B，閃存自第η字線WLn發(fā)生多條字線讀取失敗。接著，步驟12Β，讀取閃存的至少一字線WLn+1+m(如圖5Α所示的字線WLn+1+m或圖5Β所示的最后一條字高有效位頁的符線WLn+1+m)以得到第一數(shù)據(jù)，其讀取假設(shè)為成功。接著，步驟13Β，設(shè)定預(yù)驗(yàn)證電壓，以利后續(xù)進(jìn)行二次寫入WLn+1+m的高有效位頁。步驟14Β，依步驟13Β所設(shè)定的預(yù)驗(yàn)證電壓，以第二數(shù)據(jù)二次寫入字線WLn+1+m的高有效位頁。在本實(shí)施例中，第二數(shù)據(jù)不同于第一數(shù)據(jù)。在較佳例子中，第二數(shù)據(jù)反相于第一數(shù)據(jù)；第一數(shù)據(jù)為字線WLn+1+m最高有效位頁的數(shù)據(jù)。步驟15B，將預(yù)驗(yàn)證電壓重置回步驟13B之前的狀態(tài)。最后，步驟16B，重讀先前步驟IlB中讀取失敗的字線WLn+m。由于字線WLn+1+m的二次寫入使得字線WLn+m的讀取邊限得到改善，借此可成功的讀取字線WLn+m的數(shù)據(jù)。重復(fù)步驟13B至16B，直到所有讀取失敗的字線已成功的重讀出正確數(shù)據(jù)，如圖5A或圖5B所示。再者，在二次寫入字線WLn+1+m之前，自字線WLn+1+m或額外自字線WLn+2+m所讀取的數(shù)據(jù)可予以備份起來。圖6顯示二位單元閃存的記憶區(qū)塊的寫入/讀取順序。圖7A至圖7C例示二位單元閃存依照圖6所示寫入/讀取順序的臨界電壓分布。圖7A顯示于寫入字線WLn+2的低有效位頁及WLn+Ι的高有效位頁的后的臨界電壓分布。接著，如圖7B所示，以反相數(shù)據(jù)ニ次寫入字線WLn+Ι的高有效位頁，因而增進(jìn)字線WLn的讀取邊限。類似的情形，如圖7C所示，以反相數(shù)據(jù)二次寫入字線WLn的高有效位頁，因而增進(jìn)字線WLn-I的讀取邊限。值得注意的是，在一些情形下，可能無法或不宜執(zhí)行上述的預(yù)驗(yàn)證電壓設(shè)定步驟13/13B。因此，必須修訂圖IB或圖4所示的實(shí)施例，以適應(yīng)此種情形。圖8A的流程圖顯示本 發(fā)明第二實(shí)施例的多位単元非易失性內(nèi)存的寫入方法，用以改善耦合效應(yīng)。步驟81，閃存的目前字線WLn發(fā)生讀取失敗，其數(shù)據(jù)無法通過錯(cuò)誤控制。接著，步驟83，第一次寫入至少ー相鄰字線，寫入所使用的數(shù)據(jù)可以為下列之一隨機(jī)數(shù)據(jù)，其隨機(jī)產(chǎn)生；均勻(uniformly)分布數(shù)據(jù)，其位“O”的數(shù)量大致等于位” I”的數(shù)量；或相同數(shù)據(jù)，亦即均為“O”或均為” I”。上述至少ー相鄰字線可以是位于字線WLn之后或之前。最后，步驟84，重讀先前步驟81中讀取失敗的字線WLn。在一較佳實(shí)施例中，步驟83第一次所寫入的位頁，其寫入順序后在步驟81的目前字線WLn讀取失敗位頁的寫入順序。圖SB例示三位単元閃存的寫入順序。假設(shè)位頁0-6已寫入，且在字線I的中間有效位(CSB，簡稱中位頁)頁(亦即，位頁4)發(fā)生讀取失敗。為了改善耦合效應(yīng)，因此在下一字線WL2的中間有效位頁(亦即，位頁7，其寫入順序后于位頁4)進(jìn)行第一次寫入。在另一例子中，假設(shè)位頁0-6已寫入，且于字線O的高有效位(MSB)頁(亦即，位頁5)發(fā)生讀取失敗。為了改善耦合效應(yīng)，因此在下一字線WLl的高有效位頁(亦即，位頁8)進(jìn)行第一次寫入?；蛘撸懤m(xù)于字線WL2及WLl的位頁7和8進(jìn)行第一次寫入，以改善耦合效應(yīng)。在又一例子中，假設(shè)位頁0-7已寫入，且在字線2的中間有效位(CSB)頁(亦即，位頁7)發(fā)生讀取失敗。為了改善耦合效應(yīng)，因此在前一字線WLl的高有效位頁(亦即，位頁8)進(jìn)行第一次寫入。圖SC的流程圖顯示圖8A的變化型實(shí)施例的多位単元非易失性內(nèi)存的寫入方法，用以改善耦合效應(yīng)。步驟81B，閃存的目前字線WLn發(fā)生讀取失敗，其數(shù)據(jù)無法通過錯(cuò)誤校正的控制。接著，步驟82B，讀取閃存的至少ー相鄰字線的較低有效位頁(例如，最低有效位(LSB)頁)或中間有效位(CSB)頁以得到第一數(shù)據(jù)。一般來說，第一數(shù)據(jù)系從至少ー相鄰字線的已寫入位頁所得到。接著，步驟83B，第一次寫入至少ー相鄰字線，寫入所使用的第二數(shù)據(jù)不同于第一數(shù)據(jù)。在一實(shí)施例中，第二數(shù)據(jù)為第一數(shù)據(jù)的反相數(shù)據(jù)；在另ー實(shí)施例中，第二數(shù)據(jù)為隨機(jī)數(shù)據(jù)、均勻分布數(shù)據(jù)或相同數(shù)據(jù)。最后，步驟84B，重讀先前步驟81B中讀取失敗的字線WLn。圖9A至圖9B例示未使用預(yù)驗(yàn)證電壓的臨界電壓分布。如圖9A所示，使用特定數(shù)據(jù)(例如反相數(shù)據(jù))以寫入字線WLn+Ι的高有效位頁，假設(shè)該字線不是實(shí)體區(qū)塊的最后一條字線，因而增進(jìn)了前字線WLn的耦合效應(yīng)，如圖9B所示。假如該字線WLn為實(shí)體區(qū)塊的最后一條字線，則改寫入字線WLn-I的高有效位頁。圖9C至圖9D更例示未使用預(yù)驗(yàn)證電壓的臨界電壓分布。圖9C-圖9D的臨界電壓分布類似于圖9A-圖9B的臨界電壓分布，不同的是，字線WLn+Ι的高有效位頁以隨機(jī)數(shù)據(jù)來寫入。圖9C-圖9D所示例子雖可改善耦合效應(yīng)，但是其效能低于圖9A-圖9B所示例子。圖10的流程圖顯示本發(fā)明第三實(shí)施例的多位単元非易失性內(nèi)存的寫入方法，用以改善耦合效應(yīng)。步驟101，閃存的目前字線WLn發(fā)生讀取失敗，其數(shù)據(jù)無法通過錯(cuò)誤校正的控制。接著，步驟102，讀取閃存的至少ー相鄰字線以得到最高有效位(MSB)頁(例如高 有效位頁)的第一數(shù)據(jù)。在本實(shí)施例中，如果目前字線VLn不是實(shí)體區(qū)塊的最后一條字線，則相鄰字線為下一字線WLn+Ι ;否則，相鄰字線為前一字線WLn-Ι。接著，步驟103，二次寫入至少ー相鄰字線WLn+1/WLn-l的高有效位頁，所使用的第二數(shù)據(jù)不同于第一數(shù)據(jù)。在一實(shí)施例中，第二數(shù)據(jù)系為第一數(shù)據(jù)的反相數(shù)據(jù)；在另ー實(shí)施例中，第二數(shù)據(jù)為隨機(jī)數(shù)據(jù)、均勻分布數(shù)據(jù)或相同數(shù)據(jù)。最后，步驟104，重讀先前步驟101中讀取失敗的字線WLn。以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述掲示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對以上實(shí)施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種多位単元非易失性內(nèi)存的寫入方法，其特征在于包含 讀取一目前字線以得到一最高有效位頁的第一數(shù)據(jù)，其中該目前字線位于至少一先前字線之后，該目前字線讀取成功且該先前字線讀取失敗； 設(shè)定至少ー參考電壓；及 依該參考電壓，以ー第二數(shù)據(jù)進(jìn)行該目前字線的最高有效位頁的二次寫入，其中該第ニ數(shù)據(jù)不同于該第一數(shù)據(jù)。
2.如權(quán)利要求I所述的多位単元非易失性內(nèi)存的寫入方法，其特征在于該第二數(shù)據(jù)反相于該第一數(shù)據(jù)。
3.如權(quán)利要求I所述的多位単元非易失性內(nèi)存的寫入方法，其特征在于該參考電壓為一預(yù)驗(yàn)證電壓。
4.如權(quán)利要求I所述的多位單元非易失性內(nèi)存的寫入方法，其特征在于在該二次寫入步驟之后，更包含一步驟，用以重讀該先前字線。
5.如權(quán)利要求4所述的多位単元非易失性內(nèi)存的寫入方法，其特征在于重讀該先前字線的步驟之前，更包含一步驟，用以重置該參考電壓，其中該參考電壓被重置為該設(shè)定步驟之前的狀態(tài)。
6.如權(quán)利要求I所述的多位単元非易失性內(nèi)存的寫入方法，其特征在于該目前字線與該先前字線互為相鄰。
7.如權(quán)利要求4所述的多位単元非易失性內(nèi)存的寫入方法，其特征在于該至少一先前字線包含多個(gè)先前字線，對于每一條先前字線及其相鄰后續(xù)字線，由后往前依序執(zhí)行該設(shè)定步驟、該二次寫入步驟及該重讀步驟。
8.一種多位単元非易失性內(nèi)存的寫入方法，其特征在于包含 讀取一目前字線，其中該目前字線讀取失?。患? 第一次寫入至少ー相鄰字線的位頁，其中該相鄰字線相鄰于該目前字線。
9.如權(quán)利要求8所述的多位単元非易失性內(nèi)存的寫入方法，其特征在于第一次寫入該至少ー相鄰字線的位頁的步驟前，更包含一步驟，其讀取以得到該至少一相鄰字線的已寫入位頁的ー第一數(shù)據(jù)，其中該第一數(shù)據(jù)不同于該相鄰字線所第一次寫入的數(shù)據(jù)。
10.如權(quán)利要求9所述的多位単元非易失性內(nèi)存的寫入方法，其特征在于該相鄰字線的位頁所第一次寫入的數(shù)據(jù)反相于該第一數(shù)據(jù)。
11.如權(quán)利要求8所述的多位単元非易失性內(nèi)存的寫入方法，其特征在于該相鄰字線的位頁所第一次寫入的數(shù)據(jù)為隨機(jī)數(shù)據(jù)、均勻分布數(shù)據(jù)或相同數(shù)據(jù)。
12.—種多位単元非易失性內(nèi)存的寫入方法，其特征在于包含 讀取以得到至少ー相鄰字線的最高有效位頁的一第一數(shù)據(jù)，其中該相鄰字線相鄰于ー讀取失敗的目前字線；及 以ー第二數(shù)據(jù)進(jìn)行該至少一相鄰字線的最高有效位頁的二次寫入，其中該第二數(shù)據(jù)不同于該第一數(shù)據(jù)。
13.如權(quán)利要求12所述的多位単元非易失性內(nèi)存的寫入方法，其特征在于當(dāng)該目前字線不是該非易失性內(nèi)存的實(shí)體區(qū)塊的最后一條字線，則該相鄰字線位于該目前字線之后；當(dāng)該目前字線是該非易失性內(nèi)存的實(shí)體區(qū)塊的最后一條字線，則該相鄰字線位于該目前字線之前。
14.如權(quán)利要求12所述的多位単元非易失性內(nèi)存的寫入方法，其特征在于該第二數(shù)據(jù)反相于該第一數(shù)據(jù)。
15.如權(quán)利要求12所述的多位単元非易失性內(nèi)存的寫入方法，其特征在于該第二數(shù)據(jù)為隨機(jī)數(shù)據(jù)、均勻分布數(shù)據(jù)或相同數(shù)據(jù)。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)于一種多位單元非易失性內(nèi)存的寫入方法。在一實(shí)施例中，讀取非易失性內(nèi)存的目前字線，以得到最高有效位頁的第一數(shù)據(jù)，其中目前字線位于先前字線后，該目前字線讀取成功且該先前字線讀取失敗。設(shè)定至少一參考電壓。依該參考電壓，以第二數(shù)據(jù)進(jìn)行目前字線的最高有效位頁的二次寫入，其中第二數(shù)據(jù)不同于第一數(shù)據(jù)。借此在前字線中成功讀取正確的數(shù)據(jù)。
文檔編號G11C16/06GK102693754SQ20111010026
公開日2012年9月26日 申請日期2011年4月14日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月21日
發(fā)明者周銘宏, 黃漢龍 申請人:擎泰科技股份有限公司