技術(shù)編號：6766369
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明提供一種，抑制存儲器單元的絕緣膜的劣化。本發(fā)明的閃存存儲器的編程方法中，使包含經(jīng)編程的編程單元的單元組與位線BL電性分離，且使未包含編程單元的單元組電性耦合于位線BL，對所選擇的字線施加編程電壓，且對非選擇的字線施加非選電壓。而且，在施加編程電壓的期間，使P井內(nèi)產(chǎn)生載子，并將通過耗盡區(qū)域而進行電場加速的熱載子注入至存儲器單元。專利說明 [0001]本發(fā)明涉及一種半導體存儲裝置，特別是涉及一種NAND型閃存存儲器(flashmemory)的編程方...
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